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第12讲：三菱电机高压SiC芯片技术企业信息

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第12讲：三菱电机高压SiC芯片技术

通过使用SiC，可实现额定电压3.3kV以上的高耐压MOSFET。由于MOSFET是单极性器件，少数载流子不会积聚，所以能够实现极低的开

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2025-09-06

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